Tuesday, December 14, 2010

IBM Nanophotonics: pokročilý čip kombinuje optické i elektrické obvody

Společnost IBM se zabývá vývojem mnoha technologií, nyní ale uvedla finální řešení z projektu SNIPER (Silicon Nanoscale-Integrated Photonic and Electric tRansceiver) a uvedla CMOS čip, který kombinuje optické i elektrické obvody.

Nový čip má desetinásobně vyšší hustotu obvodů než podobné konkurenční 130nm řešení, především díky 65nm technologii výroby. CMOS čip o velikosti 5 × 5 mm je schopen zpracovat signál až o kapacitě 1 Tb/s (50 kanálů po 20 Gb/s), je tak určen nejen pro propojení systémů v superpočítačích nebo velkých clusterech, ale lze ho v budoucnu využít i pro vnitřní spojení procesorů na základní desce či dokonce pro rychlou komunikaci výpočetních jader uvnitř procesoru (kolem roku 2020).

ibm_chip.jpg

Dle IBM je to nutná cesta k dosažení extrémně výkonných počítačů v řádu exaflops, kde jsou již metalické obvody omezující.

Oproti univerzálnímu procesoru se jedná o jednoduchý komunikační čip, IBM ale uvedlo, že tato technologie si postupně najde cestu i do složitějších obvodů. Optické procesory tak sice jsou zatím vzdálenou budoucností, ale jak to vypadá, dočkáme se možná i jakéhosi mezistupně.


View the original article here

No comments:

Post a Comment